| Fet Type: | N-Ch |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 30V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 35mΩ |
| Rated Power Dissipation: | 0.8|W |
| Qg Gate Charge: | 17nC |
| 封装类型： | SSOT-6 |
| 安装方式： | Surface Mount |
含税单价￥4.2900
品 牌ON Semiconductor 期货周期31 周
| 参数 | FDC653N 30 V 0.035 Ohm N 沟道 增强模式 场效应 晶体管 - SSOT-6 |
| 标准包装 | 3000/卷盘 |
| 数据表 | FDC653N PDF资料 |
| 现货批次 | 2135 |
| 数量 | +- 库存：6000个 交期8-11工作日 |
| 递增 | 起订3000 递增倍数3000 |
￥8.7300/件
￥143.0400/件
￥6.3700/件
￥180.1600/件
￥138.4000/件
￥121.3400/件
| Fet Type: | N-Ch |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 30V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 35mΩ |
| Rated Power Dissipation: | 0.8|W |
| Qg Gate Charge: | 17nC |
| 封装类型： | SSOT-6 |
| 安装方式： | Surface Mount |
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