| Fet Type: | Dual N-Ch |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 30V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 0.095Ω |
| Rated Power Dissipation: | 0.7|W |
| Qg Gate Charge: | 3.2nC |
| 封装类型： | SSOT-6 |
| 安装方式： | Surface Mount |
含税单价￥2.0800
品 牌ON Semiconductor 期货周期43 周
| 参数 | Dual N-Channel 30 V 0.095 Ohm Logic Level PowerTrench Mosfet SSOT-6 |
| 标准包装 | 3000/卷盘 |
| 数据表 | FDC6561AN PDF资料 |
| 现货批次 | 2201 |
| 数量 | +- 库存：81000个 交期8-11工作日 |
| 递增 | 起订3000 递增倍数3000 |
￥55.3600/件
￥307.0800/件
￥75.1000/件
￥129.2800/件
￥29.5895/件
￥1.2400/件
| Fet Type: | Dual N-Ch |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 30V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 0.095Ω |
| Rated Power Dissipation: | 0.7|W |
| Qg Gate Charge: | 3.2nC |
| 封装类型： | SSOT-6 |
| 安装方式： | Surface Mount |
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