| Fet Type: | N-Ch |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 100V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 36mΩ |
| Rated Power Dissipation: | 3.1|W |
| Qg Gate Charge: | 31nC |
| 封装类型： | TO-252-3 (DPAK) |
| 安装方式： | Surface Mount |
含税单价￥5.1500
品 牌ON Semiconductor 期货周期52 周
| 参数 | FDD3860 系列 100 V 36 mOhm N 沟道 PowerTrench Mosfet TO-252AA |
| 标准包装 | 2500/卷盘 |
| 数据表 | FDD3860 PDF资料 |
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￥2.3445/件
￥3.1800/件
￥1.6500/件
￥5.4300/件
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￥70.3800/件
| Fet Type: | N-Ch |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 100V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 36mΩ |
| Rated Power Dissipation: | 3.1|W |
| Qg Gate Charge: | 31nC |
| 封装类型： | TO-252-3 (DPAK) |
| 安装方式： | Surface Mount |
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