| Fet Type: | P-Ch |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 35V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 11.6mΩ |
| Rated Power Dissipation: | 1.3|W |
| Qg Gate Charge: | 45nC |
| 封装类型： | TO-252-3 (DPAK) |
| 安装方式： | Surface Mount |
含税单价￥5.4700
品 牌ON Semiconductor 期货周期45 周
| 参数 | P-Channel 35 V 11.6 mOhm Surface Mount PowerTrench Mosfet TO-252-3 |
| 标准包装 | 2500/卷盘 |
| 数据表 | FDD6637 PDF资料 |
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￥1.4300/件
￥1.8900/件
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| Fet Type: | P-Ch |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 35V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 11.6mΩ |
| Rated Power Dissipation: | 1.3|W |
| Qg Gate Charge: | 45nC |
| 封装类型： | TO-252-3 (DPAK) |
| 安装方式： | Surface Mount |
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