| Fet Type: | N-Ch |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 200V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 0.69Ω |
| Rated Power Dissipation: | 43|W |
| Qg Gate Charge: | 5nC |
| 封装类型： | TO-252-3 (DPAK) |
| 安装方式： | Surface Mount |
含税单价￥2.6000
品 牌ON Semiconductor 期货周期19 周
| 参数 | FDD7N20 系列 200 V 0.69 Ohm 表面贴装 N 沟道 Mosfet D-PAK |
| 标准包装 | 2500/卷盘 |
| 数据表 | FDD7N20TM PDF资料 |
| 现货批次 | 2133 |
| 数量 | +- 库存：5000个 交期8-11工作日 |
| 递增 | 起订2500 递增倍数2500 |
￥5942.7100/件
￥61.4200/件
￥4143.4600/件
￥4.0900/件
￥0.4100/件
￥1.9300/件
| Fet Type: | N-Ch |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 200V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 0.69Ω |
| Rated Power Dissipation: | 43|W |
| Qg Gate Charge: | 5nC |
| 封装类型： | TO-252-3 (DPAK) |
| 安装方式： | Surface Mount |
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