| Fet Type: | Dual N/P-Ch |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 40V/-40V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 24mΩ/54mΩ |
| Rated Power Dissipation: | 1.3|W |
| Qg Gate Charge: | 14nC/17nC |
| 封装类型： | TO-252-3 (DPAK) |
| 安装方式： | Surface Mount |
含税单价￥4.6400
品 牌ON Semiconductor 期货周期N/A
| 参数 | FDD8424H 系列 40 V 24 mOhm 双 N/P 沟道 PowerTrench Mosfet 双TO-252封装 |
| 标准包装 | 2500/卷盘 |
| 数据表 | FDD8424H PDF资料 |
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￥0.9300/件
￥5.1500/件
￥2.8300/件
￥1.3800/件
￥32.4191/件
￥4255.9200/件
| Fet Type: | Dual N/P-Ch |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 40V/-40V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 24mΩ/54mΩ |
| Rated Power Dissipation: | 1.3|W |
| Qg Gate Charge: | 14nC/17nC |
| 封装类型： | TO-252-3 (DPAK) |
| 安装方式： | Surface Mount |
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