| Fet Type: | P-Ch |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 30V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 0.065Ω |
| Rated Power Dissipation: | 1.1|W |
| Qg Gate Charge: | 30nC |
| 封装类型： | SOT-223 (TO-261-4, SC-73) |
| 安装方式： | Surface Mount |
含税单价￥6.0600
品 牌ON Semiconductor 期货周期N/A
| 参数 | P-Channel 30 V 0.065 Ohm SMT Enhancement Mode Field Effect Transistor SOT-223 |
| 标准包装 | 4000/卷盘 |
| 数据表 | NDT452AP PDF资料 |
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￥25.4800/件
￥22.6500/件
￥38.2200/件
￥5.0700/件
￥38.2200/件
￥9.5200/件
| Fet Type: | P-Ch |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 30V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 0.065Ω |
| Rated Power Dissipation: | 1.1|W |
| Qg Gate Charge: | 30nC |
| 封装类型： | SOT-223 (TO-261-4, SC-73) |
| 安装方式： | Surface Mount |
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