| Fet Type: | Dual N/P-Ch |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 60V/-60V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 55mΩ/105mΩ |
| Rated Power Dissipation: | 2.1|W |
| Qg Gate Charge: | 20.4nC/24.2nC |
| 封装类型： | SOIC-8 |
| 安装方式： | Surface Mount |
含税单价￥4.8800
品 牌Diodes Incorporated 期货周期N/A
| 参数 | ZXMC4559DN8 系列 60 V 0.55 Ohm N/P 沟道 双 增强模式 MOSFET-SOIC-8 |
| 标准包装 | 500/卷盘 |
| 数据表 | ZXMC4559DN8TA PDF资料 |
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￥1.9700/件
￥3.1900/件
￥0.6300/件
￥3.6200/件
￥50.5700/件
￥4.6500/件
| Fet Type: | Dual N/P-Ch |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 60V/-60V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 55mΩ/105mΩ |
| Rated Power Dissipation: | 2.1|W |
| Qg Gate Charge: | 20.4nC/24.2nC |
| 封装类型： | SOIC-8 |
| 安装方式： | Surface Mount |
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