| Fet Type: | N-Ch |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 30V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 0.025Ω |
| Rated Power Dissipation: | 1.1|W |
| Qg Gate Charge: | 26.8nC |
| 封装类型： | MSOP-8 |
| 安装方式： | Surface Mount |
含税单价￥7.0900
品 牌Diodes Incorporated 期货周期N/A
| 参数 | ZXMN3A02X8 系列 30 V 0.025 Ohm N 沟道 增强模式 MOSFET - MSOP-8 |
| 标准包装 | 1000/卷盘 |
| 数据表 | ZXMN3A02X8TA PDF资料 |
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￥10.7900/件
￥0.8400/件
￥9.2900/件
￥9.2900/件
￥13.8600/件
￥4.7700/件
| Fet Type: | N-Ch |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 30V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 0.025Ω |
| Rated Power Dissipation: | 1.1|W |
| Qg Gate Charge: | 26.8nC |
| 封装类型： | MSOP-8 |
| 安装方式： | Surface Mount |
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