| Fet Type: | N-Ch |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 40V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 0.009Ω |
| Rated Power Dissipation: | 6|W |
| Qg Gate Charge: | 50nC |
| 封装类型： | SOIC-8 |
| 安装方式： | Surface Mount |
含税单价￥5.8700
品 牌Vishay 期货周期N/A
| 参数 | 40 V 19 A 9 Mohm 漏源导通电阻 当10 V时 33 nC Qg SO-8 |
| 标准包装 | 2500/卷盘 |
| 数据表 | SI4840BDY-T1-GE3 PDF资料 |
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￥8.8200/件
￥3.7400/件
￥1.0200/件
￥5.8400/件
￥1.8800/件
￥12.8600/件
| Fet Type: | N-Ch |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 40V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 0.009Ω |
| Rated Power Dissipation: | 6|W |
| Qg Gate Charge: | 50nC |
| 封装类型： | SOIC-8 |
| 安装方式： | Surface Mount |
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