| Fet Type: | P-Ch |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 20V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 26mΩ |
| Rated Power Dissipation: | 2.5|W |
| Qg Gate Charge: | 35nC |
| 封装类型： | SOIC-8 |
| 安装方式： | Surface Mount |
含税单价￥2.8800
品 牌ON Semiconductor 期货周期48 周
| 参数 | NTMS 系列 P沟道 20 V 26 mOhm 2.5 W 表面贴装 功率MOSFET - SOIC-8 |
| 标准包装 | 2500/卷盘 |
| 数据表 | NTMS5P02R2G PDF资料 |
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￥13.2300/件
￥8.5500/件
￥50.3900/件
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￥7.6500/件
| Fet Type: | P-Ch |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 20V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 26mΩ |
| Rated Power Dissipation: | 2.5|W |
| Qg Gate Charge: | 35nC |
| 封装类型： | SOIC-8 |
| 安装方式： | Surface Mount |
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