| Fet Type: | N-Ch |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 100V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 0.27Ω |
| Rated Power Dissipation: | 1.3|W |
| Qg Gate Charge: | 12nC |
| 安装方式： | Through Hole |
含税单价￥14.6500
品 牌Vishay 期货周期N/A
| 参数 | 单 N 沟道 100 V 0.27 Ohms 通孔 功率 Mosfet - HVMDIP-4 |
| 标准包装 | 100/管装 |
| 数据表 | IRLD120PBF PDF资料 |
| 现货批次 | 2030 |
| 数量 | +- 库存：5900个 交期8-11工作日 |
| 递增 | 起订1 递增倍数1 |
￥0.0600/件
￥0.0600/件
￥11.8900/件
￥0.0600/件
￥0.0400/件
￥0.0900/件
| Fet Type: | N-Ch |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 100V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 0.27Ω |
| Rated Power Dissipation: | 1.3|W |
| Qg Gate Charge: | 12nC |
| 安装方式： | Through Hole |
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