| Fet Type: | N-Ch |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 650V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 0.48Ω |
| Rated Power Dissipation: | 85|W |
| Qg Gate Charge: | 17nC |
| 封装类型： | TO-252-3 (DPAK) |
| 安装方式： | Surface Mount |
含税单价￥7.4400
品 牌STMicroelectronics 期货周期52 周
| 参数 | TO 252 DPAK |
| 标准包装 | 2500/卷盘 |
| 数据表 | STD11N65M5 PDF资料 |
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￥22.3700/件
￥1.2400/件
￥0.2100/件
￥9.9200/件
￥4.2900/件
￥169.7500/件
| Fet Type: | N-Ch |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 650V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 0.48Ω |
| Rated Power Dissipation: | 85|W |
| Qg Gate Charge: | 17nC |
| 封装类型： | TO-252-3 (DPAK) |
| 安装方式： | Surface Mount |
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