| Fet Type: | N-Ch |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 30V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 0.65mΩ |
| Rated Power Dissipation: | 3.3|W |
| Qg Gate Charge: | 204nC |
| 封装类型： | POWER 56-8 |
| 安装方式： | Surface Mount |
含税单价￥16.7800
品 牌ON Semiconductor 期货周期10 周
| 参数 | MOSFET N-CH 30V 55A 8-PQFN |
| 标准包装 | 3000/卷盘 |
| 数据表 | FDMS8050ET30 PDF资料 |
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￥22.2100/件
￥2.3200/件
￥21.1900/件
￥0.5700/件
￥4.6000/件
￥36.3100/件
| Fet Type: | N-Ch |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 30V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 0.65mΩ |
| Rated Power Dissipation: | 3.3|W |
| Qg Gate Charge: | 204nC |
| 封装类型： | POWER 56-8 |
| 安装方式： | Surface Mount |
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