| Fet Type: | N-Ch |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 100V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 4.85mΩ |
| Rated Power Dissipation: | 3.3|W |
| Qg Gate Charge: | 44nC |
| 封装类型： | POWER 56-8 |
| 安装方式： | Surface Mount |
含税单价￥21.9800
品 牌ON Semiconductor 期货周期N/A
| 参数 | MOSFET PT5 100V/20V NCH POWERTRENCH MOSFET |
| 标准包装 | 3000/卷盘 |
| 数据表 | FDMS86150ET100 PDF资料 |
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￥59.8600/件
￥0.5500/件
￥11.5800/件
￥2.4000/件
￥0.3400/件
￥4.2000/件
| Fet Type: | N-Ch |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 100V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 4.85mΩ |
| Rated Power Dissipation: | 3.3|W |
| Qg Gate Charge: | 44nC |
| 封装类型： | POWER 56-8 |
| 安装方式： | Surface Mount |
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