| Fet Type: | N-Ch |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 100V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 24mΩ |
| Rated Power Dissipation: | 2.5|W |
| Qg Gate Charge: | 11.7nC |
| 封装类型： | PQFN 5 x 6 mm |
| 安装方式： | Surface Mount |
含税单价￥10.5500
品 牌ON Semiconductor 期货周期51 周
| 参数 | FDMS86104 系列 100 V 16 A 24 mOhm N 沟道 PowerTrench® MOSFET - Power56 |
| 标准包装 | 3000/卷盘 |
| 数据表 | FDMS86104 PDF资料 |
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￥0.3400/件
￥23.0000/件
￥1.8100/件
￥0.2700/件
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| Fet Type: | N-Ch |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 100V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 24mΩ |
| Rated Power Dissipation: | 2.5|W |
| Qg Gate Charge: | 11.7nC |
| 封装类型： | PQFN 5 x 6 mm |
| 安装方式： | Surface Mount |
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