| Fet Type: | N-Ch |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 100V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 4.85mΩ |
| Rated Power Dissipation: | 2.7|W |
| Qg Gate Charge: | 44nC |
| 封装类型： | POWER 56-8 |
| 安装方式： | Surface Mount |
含税单价￥13.5500
品 牌ON Semiconductor 期货周期N/A
| 参数 | FDMS86150 系列 100 V 80 A 4.85 mOhm N-沟道 PowerTrench® MOSFET - Power 56 |
| 标准包装 | 3000/卷盘 |
| 数据表 | FDMS86150 PDF资料 |
| 现货批次 | 2120 |
| 数量 | +- 库存：3000个 交期8-11工作日 |
| 递增 | 起订3000 递增倍数3000 |
￥23.0000/件
￥1.8100/件
￥0.2700/件
￥0.5400/件
￥11.1800/件
￥1.5100/件
| Fet Type: | N-Ch |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 100V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 4.85mΩ |
| Rated Power Dissipation: | 2.7|W |
| Qg Gate Charge: | 44nC |
| 封装类型： | POWER 56-8 |
| 安装方式： | Surface Mount |
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