| Fet Type: | N-Ch |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 150V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 21mΩ |
| Rated Power Dissipation: | 104|W |
| Qg Gate Charge: | 26nC |
| 封装类型： | POWER 56-8 |
| 安装方式： | Surface Mount |
含税单价￥9.8500
品 牌ON Semiconductor 期货周期N/A
| 参数 | N-沟道 150 V 35 A 屏蔽栅 PowerTrench Mosfet - Power56 |
| 标准包装 | 3000/卷盘 |
| 数据表 | FDMS86200 PDF资料 |
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￥9.8500/件
￥15.4400/件
￥2.9900/件
￥11.5800/件
￥0.2100/件
￥4.9800/件
| Fet Type: | N-Ch |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 150V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 21mΩ |
| Rated Power Dissipation: | 104|W |
| Qg Gate Charge: | 26nC |
| 封装类型： | POWER 56-8 |
| 安装方式： | Surface Mount |
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