| Fet Type: | N-Ch |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 80V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 0.01Ω |
| Rated Power Dissipation: | 270|W |
| Qg Gate Charge: | 195nC |
| 封装类型： | TO-263AB |
| 安装方式： | Surface Mount |
含税单价￥19.8500
品 牌ON Semiconductor 期货周期46 周
| 参数 | HUF75545S3S 系列 N 沟道 80 V 0.01 Ohm UltraFET 功率Mosfet - TO-263AB |
| 标准包装 | 800/卷盘 |
| 数据表 | HUF75545S3ST PDF资料 |
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￥47.7300/件
￥6.6200/件
￥46.1600/件
￥8.4300/件
￥39.8600/件
￥189.8800/件
| Fet Type: | N-Ch |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 80V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 0.01Ω |
| Rated Power Dissipation: | 270|W |
| Qg Gate Charge: | 195nC |
| 封装类型： | TO-263AB |
| 安装方式： | Surface Mount |
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