| Fet Type: | N-Ch |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 100V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 63mΩ |
| Rated Power Dissipation: | 2.5|W |
| Qg Gate Charge: | 13.5nC |
| 封装类型： | SOIC-8 |
| 安装方式： | Surface Mount |
含税单价￥6.0700
品 牌Vishay 期货周期N/A
| 参数 | N-CH MOSFET SO-8 100V 63MOHM @ 10V |
| 标准包装 | 2500/卷盘 |
| 数据表 | SI4100DY-T1-E3 PDF资料 |
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￥1.7300/件
￥0.9500/件
￥0.5000/件
￥15.6000/件
￥1.1900/件
￥0.4000/件
| Fet Type: | N-Ch |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 100V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 63mΩ |
| Rated Power Dissipation: | 2.5|W |
| Qg Gate Charge: | 13.5nC |
| 封装类型： | SOIC-8 |
| 安装方式： | Surface Mount |
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