| Fet Type: | P-Ch |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 30V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 0.018Ω |
| Rated Power Dissipation: | 5.6|W |
| Qg Gate Charge: | 65nC |
| 封装类型： | SOIC-8 |
| 安装方式： | Surface Mount |
含税单价￥4.1000
品 牌Vishay 期货周期N/A
| 参数 | P 沟道 30 V 0.018 Ohm 5.6 W 表面贴装 功率 Mosfet - SOIC-8 |
| 标准包装 | 2500/卷盘 |
| 数据表 | SI4835DDY-T1-GE3 PDF资料 |
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￥15.6000/件
￥1.1900/件
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￥3.1500/件
￥4.3700/件
| Fet Type: | P-Ch |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 30V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 0.018Ω |
| Rated Power Dissipation: | 5.6|W |
| Qg Gate Charge: | 65nC |
| 封装类型： | SOIC-8 |
| 安装方式： | Surface Mount |
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