| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 最大连续集电极电流 | 80 A |
| 最大集电极-发射极电压 | 600 V |
| 最大栅极发射极电压 | ±20V |
| 最大功率耗散 | 290 W |
| 封装类型 | TO-247 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 通道类型 | N |
| 引脚数目 | 3 |
| 晶体管配置 | 单 |
| 尺寸 | 15.6 x 4.7 x 20.6mm |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 最高工作温度 | +150 °C |
含税单价￥60.3600
品 牌ON Semiconductor
| 参数 | ON Semiconductor 晶体管 - IGBT, Vce=600 V, 80 A, TO-247封装, 3引脚, 通孔安装 |
| 数据表 | FGH40N65UFDTU PDF资料 |
| 数量 | +- 库存：3个 交期6-9工作日 |
| 递增 | 起订1 递增倍数1 |
￥1817.1800/件
￥30.1200/件
￥3.3200/件
￥26.0400/件
￥27.6100/件
￥60.2900/件
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 最大连续集电极电流 | 80 A |
| 最大集电极-发射极电压 | 600 V |
| 最大栅极发射极电压 | ±20V |
| 最大功率耗散 | 290 W |
| 封装类型 | TO-247 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 通道类型 | N |
| 引脚数目 | 3 |
| 晶体管配置 | 单 |
| 尺寸 | 15.6 x 4.7 x 20.6mm |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 最高工作温度 | +150 °C |
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