含税单价￥3.8974
品 牌Infineon
| 参数 | 英飞凌 Infineon MOSFET, HEXFET 系列, N沟道, Si, Vds=100 V, 31 A, 3引脚 DPAK (TO-252)封装 |
| 标准包装 | 在毎卷：2000 |
| 数据表 | IRFR3410TRPBF PDF资料 |
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￥4.8100/件
￥1466.0100/件
￥250.8900/件
￥16.9676/件
￥1.8400/件
￥4.4800/件
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N |
| 最大连续漏极电流 | 31 A |
| 最大漏源电压 | 100 V |
| 封装类型 | DPAK (TO-252) |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 引脚数目 | 3 |
| 最大漏源电阻值 | 39 mΩ |
| 通道模式 | 增强 |
| 最大栅阈值电压 | 4V |
| 最小栅阈值电压 | 2V |
| 最大功率耗散 | 110 W |
| 晶体管配置 | 单 |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 宽度 | 6.22mm |
| 高度 | 2.39mm |
| 系列 | HEXFET |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 晶体管材料 | Si |
| 长度 | 6.73mm |
| 最高工作温度 | +175 °C |
| 典型栅极电荷@Vgs | 37 nC @ 10 V |
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