含税单价￥28.3900
品 牌Fairchild Semiconductor
| 参数 | Fairchild Semiconductor MOSFET, PowerTrench 系列, N沟道, Si, Vds=100 V, 80 A, 3引脚 D2PAK (TO-263)封装 |
| 标准包装 | 每包:2个 |
| 数据表 | FDB3632_F085 PDF资料 |
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￥0.9600/件
￥11.6400/件
￥25.2900/件
￥1683.2700/件
￥3.3700/件
￥4.9900/件
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N |
| 最大连续漏极电流 | 80 A |
| 最大漏源电压 | 100 V |
| 封装类型 | D2PAK (TO-263) |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 引脚数目 | 3 |
| 最大漏源电阻值 | 22 mΩ |
| 通道模式 | 增强 |
| 最小栅阈值电压 | 2V |
| 最大功率耗散 | 310 W |
| 晶体管配置 | 单 |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 宽度 | 9.65mm |
| 长度 | 10.67mm |
| 晶体管材料 | Si |
| 典型栅极电荷@Vgs | 84 nC @ 10 V |
| 高度 | 4.83mm |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 系列 | PowerTrench |
| 最高工作温度 | +175 °C |
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