含税单价￥83.4500
品 牌IXYS
| 参数 | IXYS MOSFET, HiperFET, X2-Class 系列, N沟道, Si, Vds=650 V, 34 A, 3引脚 TO-247封装 |
| 标准包装 | 每包:2个 |
| 数据表 | IXFH34N65X2 PDF资料 |
| 数量 | +- 库存：32个 交期6-9工作日 |
| 递增 | 起订2 递增倍数2 |
￥30.0300/件
￥3.5100/件
￥6.9200/件
￥136.7700/件
￥7.3600/件
￥133.7600/件
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N |
| 最大连续漏极电流 | 34 A |
| 最大漏源电压 | 650 V |
| 封装类型 | TO-247 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 引脚数目 | 3 |
| 最大漏源电阻值 | 100 mΩ |
| 通道模式 | 增强 |
| 最大栅阈值电压 | 5V |
| 最小栅阈值电压 | 2.7V |
| 最大功率耗散 | 540 W |
| 晶体管配置 | 单 |
| 最大栅源电压 | -30 V、+30 V |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 典型栅极电荷@Vgs | 56 nC @ 10 V |
| 长度 | 16.24mm |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 宽度 | 21.45mm |
| 正向二极管电压 | 1.4V |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 系列 | HiperFET, X2-Class |
| 高度 | 5.3mm |
| 晶体管材料 | Si |
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