含税单价￥10.2800
品 牌Infineon
| 参数 | 英飞凌 Infineon MOSFET, OptiMOS 系列, N沟道, Si, Vds=60 V, 46 A, 8引脚 TDSON封装 |
| 标准包装 | 每包:25个 |
| 数据表 | BSC097N06NSATMA1 PDF资料 |
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￥7.6700/件
￥90.5600/件
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￥617.7600/件
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N |
| 最大连续漏极电流 | 46 A |
| 最大漏源电压 | 60 V |
| 封装类型 | TDSON |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 引脚数目 | 8 |
| 最大漏源电阻值 | 14.6 mΩ |
| 通道模式 | 增强 |
| 最大栅阈值电压 | 3.3V |
| 最小栅阈值电压 | 2.1V |
| 最大功率耗散 | 36 W |
| 晶体管配置 | 单 |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 晶体管材料 | Si |
| 典型栅极电荷@Vgs | 12 nC @ 10 V |
| 长度 | 5.35mm |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 正向二极管电压 | 1.2V |
| 系列 | OptiMOS |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 高度 | 1.1mm |
| 宽度 | 6.1mm |
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