| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N |
| 最大连续漏极电流 | 2.3 A |
| 最大漏源电压 | 60 V |
| 封装类型 | TO-236 |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 引脚数目 | 3 |
| 最大漏源电阻值 | 156 mΩ |
| 通道模式 | 增强 |
| 最小栅阈值电压 | 1V |
| 最大功率耗散 | 1.66 W |
| 晶体管配置 | 单 |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 典型栅极电荷@Vgs | 10 V 时，4.5 常闭 |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 高度 | 1.02mm |
| 宽度 | 1.4mm |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 长度 | 3.04mm |
| 晶体管材料 | Si |
含税单价￥2.5800
品 牌Vishay
| 参数 | Vishay MOSFET, N沟道, Si, Vds=60 V, 2.3 A, 3引脚 TO-236封装 |
| 标准包装 | 在毎卷：3000 |
| 数据表 | SI2308BDS-T1-GE3 PDF资料 |
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￥2023.4600/件
￥122.8900/件
￥1.5100/件
￥18.9000/件
￥2.4500/件
￥384.3100/件
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N |
| 最大连续漏极电流 | 2.3 A |
| 最大漏源电压 | 60 V |
| 封装类型 | TO-236 |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 引脚数目 | 3 |
| 最大漏源电阻值 | 156 mΩ |
| 通道模式 | 增强 |
| 最小栅阈值电压 | 1V |
| 最大功率耗散 | 1.66 W |
| 晶体管配置 | 单 |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 典型栅极电荷@Vgs | 10 V 时，4.5 常闭 |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 高度 | 1.02mm |
| 宽度 | 1.4mm |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 长度 | 3.04mm |
| 晶体管材料 | Si |
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