含税单价￥1.7600
品 牌Vishay
| 参数 | Vishay MOSFET, P沟道, Si, Vds=20 V, 2.3 A, 3引脚 SOT-23封装 |
| 数据表 | SI2301CDS-T1-GE3 PDF资料 |
| 数量 | +- 库存：180个 交期6-9工作日 |
| 递增 | 起订20 递增倍数20 |
￥37.7300/件
￥7.8700/件
￥316.9900/件
￥1087.3500/件
￥5.6700/件
￥15.7900/件
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | P |
| 最大连续漏极电流 | 2.3 A |
| 最大漏源电压 | 20 V |
| 封装类型 | SOT-23 |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 引脚数目 | 3 |
| 最大漏源电阻值 | 112 mΩ |
| 通道模式 | 增强 |
| 最小栅阈值电压 | 0.4V |
| 最大功率耗散 | 860 mW |
| 晶体管配置 | 单 |
| 最大栅源电压 | -8 V、+8 V |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 长度 | 3.04mm |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 高度 | 1.02mm |
| 典型栅极电荷@Vgs | 3.3 nC @ 2.5 V，5.5 nC @ 4.5 V |
| 晶体管材料 | Si |
| 宽度 | 1.4mm |
| 最低工作温度 | -55 °C |
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