| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | P |
| 最大连续漏极电流 | 25 A |
| 最大漏源电压 | 30 V |
| 封装类型 | DPAK (TO-252) |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 引脚数目 | 3 |
| 最大漏源电阻值 | 90 mΩ |
| 通道模式 | 增强 |
| 最大栅阈值电压 | 2V |
| 最大功率耗散 | 75 W |
| 晶体管配置 | 单 |
| 最大栅源电压 | -15 V、+15 V |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 高度 | 2.38mm |
| 典型栅极电荷@Vgs | 15 nC @ 5 V |
| 长度 | 6.73mm |
| 宽度 | 6.22mm |
| 晶体管材料 | Si |
含税单价￥13.5300
品 牌ON Semiconductor
| 参数 | ON Semiconductor MOSFET, P沟道, Si, Vds=30 V, 25 A, 3引脚 DPAK (TO-252)封装 |
| 标准包装 | 每包:5个 |
| 数据表 | NTD25P03LT4G PDF资料 |
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￥28.2880/件
￥48.0400/件
￥3.9800/件
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￥323.7300/件
￥23.4500/件
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | P |
| 最大连续漏极电流 | 25 A |
| 最大漏源电压 | 30 V |
| 封装类型 | DPAK (TO-252) |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 引脚数目 | 3 |
| 最大漏源电阻值 | 90 mΩ |
| 通道模式 | 增强 |
| 最大栅阈值电压 | 2V |
| 最大功率耗散 | 75 W |
| 晶体管配置 | 单 |
| 最大栅源电压 | -15 V、+15 V |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 高度 | 2.38mm |
| 典型栅极电荷@Vgs | 15 nC @ 5 V |
| 长度 | 6.73mm |
| 宽度 | 6.22mm |
| 晶体管材料 | Si |
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