| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N |
| 最大连续漏极电流 | 22 A |
| 最大漏源电压 | 650 V |
| 封装类型 | TO-247 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 引脚数目 | 3 |
| 最大漏源电阻值 | 145 mΩ |
| 通道模式 | 增强 |
| 最大栅阈值电压 | 5V |
| 最小栅阈值电压 | 2.7V |
| 最大功率耗散 | 390 W |
| 晶体管配置 | 单 |
| 最大栅源电压 | -30 V、+30 V |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 系列 | HiperFET, X2-Class |
| 正向二极管电压 | 1.4V |
| 晶体管材料 | Si |
| 高度 | 5.3mm |
| 典型栅极电荷@Vgs | 37 nC @ 10 V |
| 长度 | 16.24mm |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 宽度 | 21.45mm |
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