含税单价￥25.5100
品 牌Infineon
| 参数 | 英飞凌 Infineon MOSFET, HEXFET 系列, N沟道, Si, Vds=60 V, 210 A, 3引脚 TO-220AB封装 |
| 数据表 | IRFB3206PBF PDF资料 |
| 数量 | +- 库存：4个 交期6-9工作日 |
| 递增 | 起订1 递增倍数1 |
￥59.5100/件
￥4.8400/件
￥105.5700/件
￥1234.7300/件
￥7.6400/件
￥82.9000/件
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N |
| 最大连续漏极电流 | 210 A |
| 最大漏源电压 | 60 V |
| 封装类型 | TO-220AB |
| 安装类型 | 通孔 |
| 引脚数目 | 3 |
| 最大漏源电阻值 | 3 mΩ |
| 通道模式 | 增强 |
| 最大栅阈值电压 | 4V |
| 最小栅阈值电压 | 2V |
| 最大功率耗散 | 300000 mW |
| 晶体管配置 | 单 |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 系列 | HEXFET |
| 最高工作温度 | +175 °C |
| 宽度 | 4.83mm |
| 长度 | 10.67mm |
| 晶体管材料 | Si |
| 高度 | 9.02mm |
| 典型栅极电荷@Vgs | 120 nC @ 10 V |
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