含税单价￥45.1200
品 牌Infineon
| 参数 | 英飞凌 Infineon MOSFET, CoolMOS C3 系列, N沟道, Si, Vds=650 V, 15 A, 3引脚 TO-220FP封装 |
| 数据表 | SPA15N60C3XKSA1 PDF资料 |
| 数量 | +- 库存：23个 交期6-9工作日 |
| 递增 | 起订1 递增倍数1 |
￥27.4200/件
￥6.6100/件
￥206.2100/件
￥76.6100/件
￥46.5000/件
￥2682.0600/件
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N |
| 最大连续漏极电流 | 15 A |
| 最大漏源电压 | 650 V |
| 封装类型 | TO-220FP |
| 安装类型 | 通孔 |
| 引脚数目 | 3 |
| 最大漏源电阻值 | 280 mΩ |
| 通道模式 | 增强 |
| 最大栅阈值电压 | 3.9V |
| 最小栅阈值电压 | 2.1V |
| 最大功率耗散 | 34 W |
| 晶体管配置 | 单 |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 晶体管材料 | Si |
| 宽度 | 4.85mm |
| 长度 | 10.65mm |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 高度 | 9.83mm |
| 典型栅极电荷@Vgs | 63 nC @ 10 V |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 系列 | CoolMOS C3 |
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