| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N |
| 最大连续漏极电流 | 8.7 A |
| 最大漏源电压 | 30 V |
| 封装类型 | SOIC |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 引脚数目 | 8 |
| 最大漏源电阻值 | 30 mΩ |
| 通道模式 | 增强 |
| 最大栅阈值电压 | 2.1V |
| 最大功率耗散 | 1.5 W |
| 晶体管配置 | 单 |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 宽度 | 3.95mm |
| 高度 | 1.5mm |
| 典型栅极电荷@Vgs | 13.2 nC @ 10 V |
| 晶体管材料 | Si |
| 长度 | 4.95mm |
含税单价￥2.3200
品 牌DiodesZetex
| 参数 | DiodesZetex MOSFET, N沟道, Si, Vds=30 V, 8.7 A, 8引脚 SOIC封装 |
| 标准包装 | 在毎卷：2500 |
| 数据表 | DMN3018SSD-13 PDF资料 |
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￥341.6100/件
￥143.0100/件
￥45.2500/件
￥183.1800/件
￥11.7500/件
￥2.8400/件
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N |
| 最大连续漏极电流 | 8.7 A |
| 最大漏源电压 | 30 V |
| 封装类型 | SOIC |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 引脚数目 | 8 |
| 最大漏源电阻值 | 30 mΩ |
| 通道模式 | 增强 |
| 最大栅阈值电压 | 2.1V |
| 最大功率耗散 | 1.5 W |
| 晶体管配置 | 单 |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 宽度 | 3.95mm |
| 高度 | 1.5mm |
| 典型栅极电荷@Vgs | 13.2 nC @ 10 V |
| 晶体管材料 | Si |
| 长度 | 4.95mm |
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