| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | P |
| 最大连续漏极电流 | 1.9 A |
| 最大漏源电压 | 30 V |
| 封装类型 | SOT-23 |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 引脚数目 | 3 |
| 最大漏源电阻值 | 350 mΩ |
| 通道模式 | 增强 |
| 最大栅阈值电压 | 3V |
| 最大功率耗散 | 1.25 W |
| 晶体管配置 | 单 |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 宽度 | 1.3mm |
| 高度 | 1mm |
| 晶体管材料 | Si |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 长度 | 2.9mm |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 典型栅极电荷@Vgs | 6 nC @ 10 V |
含税单价￥4.5300
品 牌ON Semiconductor
| 参数 | ON Semiconductor MOSFET, P沟道, Si, Vds=30 V, 1.9 A, 3引脚 SOT-23封装 |
| 标准包装 | 每包:10个 |
| 数据表 | NTR4502PT1G PDF资料 |
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￥381.7300/件
￥346.1700/件
￥381.7300/件
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￥1.5400/件
￥5.5400/件
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | P |
| 最大连续漏极电流 | 1.9 A |
| 最大漏源电压 | 30 V |
| 封装类型 | SOT-23 |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 引脚数目 | 3 |
| 最大漏源电阻值 | 350 mΩ |
| 通道模式 | 增强 |
| 最大栅阈值电压 | 3V |
| 最大功率耗散 | 1.25 W |
| 晶体管配置 | 单 |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 宽度 | 1.3mm |
| 高度 | 1mm |
| 晶体管材料 | Si |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 长度 | 2.9mm |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 典型栅极电荷@Vgs | 6 nC @ 10 V |
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