| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N |
| 最大连续漏极电流 | 4 A |
| 最大漏源电压 | 1500 V |
| 封装类型 | TO-220 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 引脚数目 | 3 |
| 最大漏源电阻值 | 7 Ω |
| 通道模式 | 增强 |
| 最大栅阈值电压 | 5V |
| 最小栅阈值电压 | 3V |
| 最大功率耗散 | 160 W |
| 晶体管配置 | 单 |
| 最大栅源电压 | -30 V、+30 V |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 典型栅极电荷@Vgs | 30 nC @ 10 V |
| 高度 | 15.75mm |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 长度 | 10.4mm |
| 宽度 | 4.6mm |
| 晶体管材料 | Si |
| 系列 | MDmesh |
含税单价￥80.0500
品 牌STMicroelectronics
| 参数 | STMicroelectronics MOSFET, MDmesh 系列, N沟道, Si, Vds=1500 V, 4 A, 3引脚 TO-220封装 |
| 数据表 | STP4N150 PDF资料 |
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￥386.3500/件
￥386.3500/件
￥386.3500/件
￥386.3500/件
￥1620.7000/件
￥1087.5600/件
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N |
| 最大连续漏极电流 | 4 A |
| 最大漏源电压 | 1500 V |
| 封装类型 | TO-220 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 引脚数目 | 3 |
| 最大漏源电阻值 | 7 Ω |
| 通道模式 | 增强 |
| 最大栅阈值电压 | 5V |
| 最小栅阈值电压 | 3V |
| 最大功率耗散 | 160 W |
| 晶体管配置 | 单 |
| 最大栅源电压 | -30 V、+30 V |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 典型栅极电荷@Vgs | 30 nC @ 10 V |
| 高度 | 15.75mm |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 长度 | 10.4mm |
| 宽度 | 4.6mm |
| 晶体管材料 | Si |
| 系列 | MDmesh |
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