| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N |
| 最大连续漏极电流 | 36 A |
| 最大漏源电压 | 20 V |
| 封装类型 | SOIC |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 引脚数目 | 8 |
| 最大漏源电阻值 | 3.2 mΩ |
| 通道模式 | 增强 |
| 最小栅阈值电压 | 1.2V |
| 最大功率耗散 | 6 W |
| 晶体管配置 | 单 |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 宽度 | 4mm |
| 晶体管材料 | Si |
| 高度 | 1.55mm |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 长度 | 5mm |
| 典型栅极电荷@Vgs | 60 nC @ 10 V |
| 最低工作温度 | -55 °C |
含税单价￥12.6000
品 牌Vishay
| 参数 | Vishay MOSFET, N沟道, Si, Vds=20 V, 36 A, 8引脚 SOIC封装 |
| 标准包装 | On a Tape of 20 |
| 数据表 | SI4186DY-T1-GE3 PDF资料 |
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￥386.3500/件
￥388.2100/件
￥388.2100/件
￥388.2100/件
￥388.2100/件
￥829.5800/件
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N |
| 最大连续漏极电流 | 36 A |
| 最大漏源电压 | 20 V |
| 封装类型 | SOIC |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 引脚数目 | 8 |
| 最大漏源电阻值 | 3.2 mΩ |
| 通道模式 | 增强 |
| 最小栅阈值电压 | 1.2V |
| 最大功率耗散 | 6 W |
| 晶体管配置 | 单 |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 宽度 | 4mm |
| 晶体管材料 | Si |
| 高度 | 1.55mm |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 长度 | 5mm |
| 典型栅极电荷@Vgs | 60 nC @ 10 V |
| 最低工作温度 | -55 °C |
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