含税单价￥8.6700
品 牌Vishay
| 参数 | Vishay MOSFET, TrenchFET 系列, P沟道, Si, Vds=20 V, 27 A, 8引脚 PowerPAK 1212封装 |
| 标准包装 | 每包:20个 |
| 数据表 | SISS23DN-T1-GE3 PDF资料 |
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￥357.3400/件
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￥180.6400/件
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | P |
| 最大连续漏极电流 | 27 A |
| 最大漏源电压 | 20 V |
| 封装类型 | PowerPAK 1212 |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 引脚数目 | 8 |
| 最大漏源电阻值 | 11.5 mΩ |
| 通道模式 | 增强 |
| 最小栅阈值电压 | 0.4V |
| 最大功率耗散 | 57 W |
| 晶体管配置 | 单 |
| 最大栅源电压 | -8 V、+8 V |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 长度 | 3.3mm |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 系列 | TrenchFET |
| 典型栅极电荷@Vgs | 195 nC @ 10 V |
| 高度 | 0.78mm |
| 晶体管材料 | Si |
| 宽度 | 3.3mm |
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