| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N |
| 最大连续漏极电流 | 6 A |
| 最大漏源电压 | 30 V |
| 封装类型 | SOT-23 |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 引脚数目 | 3 |
| 最大漏源电阻值 | 33 mΩ |
| 通道模式 | 增强 |
| 最小栅阈值电压 | 1.2V |
| 最大功率耗散 | 2.5 W |
| 晶体管配置 | 单 |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 典型栅极电荷@Vgs | 8.2 nC @ 10 V |
| 长度 | 3.04mm |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 晶体管材料 | Si |
| 宽度 | 1.4mm |
| 高度 | 1.02mm |
含税单价￥5.1900
品 牌Vishay
| 参数 | Vishay MOSFET, N沟道, Si, Vds=30 V, 6 A, 3引脚 SOT-23封装 |
| 标准包装 | 每包:20个 |
| 数据表 | Si2338DS-T1-GE3 PDF资料 |
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￥299.6300/件
￥371.2200/件
￥371.2200/件
￥371.2200/件
￥2.5400/件
￥400.7100/件
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N |
| 最大连续漏极电流 | 6 A |
| 最大漏源电压 | 30 V |
| 封装类型 | SOT-23 |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 引脚数目 | 3 |
| 最大漏源电阻值 | 33 mΩ |
| 通道模式 | 增强 |
| 最小栅阈值电压 | 1.2V |
| 最大功率耗散 | 2.5 W |
| 晶体管配置 | 单 |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 典型栅极电荷@Vgs | 8.2 nC @ 10 V |
| 长度 | 3.04mm |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 晶体管材料 | Si |
| 宽度 | 1.4mm |
| 高度 | 1.02mm |
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