含税单价￥5.7600
品 牌ON Semiconductor
| 参数 | ON Semiconductor MOSFET, N沟道, Si, Vds=60 V, 9 A, 3引脚 DPAK (TO-252)封装 |
| 标准包装 | 每包:25个 |
| 数据表 | NTD3055L170T4G PDF资料 |
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￥850.9300/件
￥930.2000/件
￥987.0500/件
￥968.4500/件
￥32.1800/件
￥3.2000/件
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N |
| 最大连续漏极电流 | 9 A |
| 最大漏源电压 | 60 V |
| 封装类型 | DPAK (TO-252) |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 引脚数目 | 3 |
| 最大漏源电阻值 | 170 mΩ |
| 通道模式 | 增强 |
| 最大栅阈值电压 | 2V |
| 最大功率耗散 | 28.5 W |
| 晶体管配置 | 单 |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 高度 | 2.38mm |
| 典型栅极电荷@Vgs | 4.7 nC @ 5 V |
| 长度 | 6.73mm |
| 宽度 | 6.22mm |
| 最高工作温度 | +175 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 晶体管材料 | Si |
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