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NTD2955-1G

供应商型号:124-5399

含税单价8.7100

品      牌ON Semiconductor

参数 ON Semiconductor MOSFET, P沟道, Si, Vds=60 V, 12 A, 3引脚 IPAK (TO-251)封装
数据表 NTD2955-1G PDF资料

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阶梯价格(人民币含税)
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  • 150-375件¥5.84
  • 375-750件¥5.62
  • 750-1500件¥5.42
  • 1500件以上¥5.24
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属性 数值
通道类型 P
最大连续漏极电流 12 A
最大漏源电压 60 V
封装类型 IPAK (TO-251)
安装类型 通孔
引脚数目 3
最大漏源电阻值 180 mΩ
通道模式 增强
最大栅阈值电压 4V
最大功率耗散 55 W
最大栅源电压 -25 V、+25 V
每片芯片元件数目 1
最高工作温度 +175 °C
长度 6.73mm
宽度 2.38mm
高度 6.35mm
晶体管材料 Si
最低工作温度 -55 °C
典型栅极电荷@Vgs 15 nC @ 10 V
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