属性 | 数值 |
---|---|
通道类型 | P |
最大连续漏极电流 | 12 A |
最大漏源电压 | 60 V |
封装类型 | IPAK (TO-251) |
安装类型 | 通孔 |
引脚数目 | 3 |
最大漏源电阻值 | 180 mΩ |
通道模式 | 增强 |
最大栅阈值电压 | 4V |
最大功率耗散 | 55 W |
最大栅源电压 | -25 V、+25 V |
每片芯片元件数目 | 1 |
最高工作温度 | +175 °C |
长度 | 6.73mm |
宽度 | 2.38mm |
高度 | 6.35mm |
晶体管材料 | Si |
最低工作温度 | -55 °C |
典型栅极电荷@Vgs | 15 nC @ 10 V |