| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N |
| 最大连续漏极电流 | 15 A |
| 最大漏源电压 | 500 V |
| 封装类型 | TO-3PN |
| 安装类型 | 通孔 |
| 引脚数目 | 3 |
| 最大漏源电阻值 | 480 mΩ |
| 通道模式 | 增强 |
| 最小栅阈值电压 | 2V |
| 最大功率耗散 | 218 W |
| 晶体管配置 | 单 |
| 最大栅源电压 | -30 V、+30 V |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 长度 | 15.8mm |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 系列 | QFET |
| 高度 | 20.1mm |
| 宽度 | 5mm |
| 典型栅极电荷@Vgs | 43 nC @ 10 V |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 晶体管材料 | Si |
含税单价￥43.9500
品 牌ON Semiconductor
| 参数 | ON Semiconductor MOSFET, QFET 系列, N沟道, Si, Vds=500 V, 15 A, 3引脚 TO-3PN封装 |
| 标准包装 | 每包:5个 |
| 数据表 | FQA13N50CF PDF资料 |
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￥137.3300/件
￥134.8000/件
￥152.0600/件
￥132.4500/件
￥131.0000/件
￥418.7600/件
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N |
| 最大连续漏极电流 | 15 A |
| 最大漏源电压 | 500 V |
| 封装类型 | TO-3PN |
| 安装类型 | 通孔 |
| 引脚数目 | 3 |
| 最大漏源电阻值 | 480 mΩ |
| 通道模式 | 增强 |
| 最小栅阈值电压 | 2V |
| 最大功率耗散 | 218 W |
| 晶体管配置 | 单 |
| 最大栅源电压 | -30 V、+30 V |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 长度 | 15.8mm |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 系列 | QFET |
| 高度 | 20.1mm |
| 宽度 | 5mm |
| 典型栅极电荷@Vgs | 43 nC @ 10 V |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 晶体管材料 | Si |
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