| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N |
| 最大连续漏极电流 | 4 A |
| 最大漏源电压 | 20 V |
| 封装类型 | SOT-23 |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 引脚数目 | 3 |
| 最大漏源电阻值 | 100 mΩ |
| 通道模式 | 增强 |
| 最大栅阈值电压 | 1.2V |
| 最大功率耗散 | 1.25 W |
| 晶体管配置 | 单 |
| 最大栅源电压 | -12 V、+12 V |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 高度 | 1.2mm |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 宽度 | 1.7mm |
| 典型栅极电荷@Vgs | 8.6 nC @ 10 V |
| 长度 | 3.1mm |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 晶体管材料 | Si |
含税单价￥1.7500
品 牌Taiwan Semiconductor
| 参数 | Taiwan Semiconductor MOSFET, N沟道, Si, Vds=20 V, 4 A, 3引脚 SOT-23封装 |
| 标准包装 | 在毎卷：3000 |
| 数据表 | TSM2310CX RFG PDF资料 |
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￥1617.4700/件
￥338.1200/件
￥292.6500/件
￥377.3600/件
￥337.3100/件
￥479.6100/件
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N |
| 最大连续漏极电流 | 4 A |
| 最大漏源电压 | 20 V |
| 封装类型 | SOT-23 |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 引脚数目 | 3 |
| 最大漏源电阻值 | 100 mΩ |
| 通道模式 | 增强 |
| 最大栅阈值电压 | 1.2V |
| 最大功率耗散 | 1.25 W |
| 晶体管配置 | 单 |
| 最大栅源电压 | -12 V、+12 V |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 高度 | 1.2mm |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 宽度 | 1.7mm |
| 典型栅极电荷@Vgs | 8.6 nC @ 10 V |
| 长度 | 3.1mm |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 晶体管材料 | Si |
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