属性 | 数值 |
---|---|
通道类型 | N |
最大连续漏极电流 | 22 A |
最大漏源电压 | 500 V |
封装类型 | TO-3PN |
安装类型 | 通孔 |
引脚数目 | 2 |
最大漏源电阻值 | 260 mΩ |
通道模式 | 增强 |
最小栅阈值电压 | 3V |
最大功率耗散 | 388 W |
晶体管配置 | 单 |
最大栅源电压 | -30 V、+30 V |
每片芯片元件数目 | 1 |
系列 | UniFET |
晶体管材料 | Si |
最高工作温度 | +150 °C |
典型栅极电荷@Vgs | 50 nC @ 10 V |
最低工作温度 | -55 °C |
长度 | 15.8mm |
宽度 | 5mm |
高度 | 20.1mm |