| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N，P |
| 最大连续漏极电流 | 4.6 A，6.8 A |
| 最大漏源电压 | 30 V |
| 封装类型 | SOIC |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 引脚数目 | 8 |
| 最大漏源电阻值 | 40 mΩ, 103 mΩ |
| 通道模式 | 增强 |
| 最大栅阈值电压 | 2.3V |
| 最小栅阈值电压 | 1.3V |
| 最大功率耗散 | 2 W |
| 晶体管配置 | 隔离式 |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V |
| 每片芯片元件数目 | 2 |
| 系列 | HEXFET |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 晶体管材料 | Si |
| 正向二极管电压 | 1.2V |
| 宽度 | 4mm |
| 高度 | 1.5mm |
| 典型栅极电荷@Vgs | 6.8 nC @ 10 V，8.1 nC @ 10 V |
| 长度 | 5mm |
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