| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N |
| 最大连续漏极电流 | 13 A |
| 最大漏源电压 | 250 V |
| 封装类型 | TO-220NIS |
| 安装类型 | 通孔 |
| 引脚数目 | 3 |
| 最大漏源电阻值 | 250 mΩ |
| 通道模式 | 增强 |
| 最大功率耗散 | 45000 mW |
| 晶体管配置 | 单 |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 长度 | 10mm |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 高度 | 8.1mm |
| 典型栅极电荷@Vgs | 40 nC @ 10 V |
| 系列 | 2SK |
| 晶体管材料 | Si |
| 宽度 | 4.5mm |
| 最低工作温度 | -55 °C |
含税单价￥19.7600
品 牌Toshiba
| 参数 | Toshiba MOSFET 晶体管, 2SK 系列, N沟道, Si, Vds=250 V, 13 A, 3引脚 TO-220NIS封装 |
| 数据表 | 2SK2508(F) PDF资料 |
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￥661.2100/件
￥3289.0000/件
￥39.8000/件
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￥761.3700/件
￥787.3600/件
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N |
| 最大连续漏极电流 | 13 A |
| 最大漏源电压 | 250 V |
| 封装类型 | TO-220NIS |
| 安装类型 | 通孔 |
| 引脚数目 | 3 |
| 最大漏源电阻值 | 250 mΩ |
| 通道模式 | 增强 |
| 最大功率耗散 | 45000 mW |
| 晶体管配置 | 单 |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 长度 | 10mm |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 高度 | 8.1mm |
| 典型栅极电荷@Vgs | 40 nC @ 10 V |
| 系列 | 2SK |
| 晶体管材料 | Si |
| 宽度 | 4.5mm |
| 最低工作温度 | -55 °C |
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