| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | P |
| 最大连续漏极电流 | 5 A |
| 最大漏源电压 | 60 V |
| 封装类型 | PW Mold |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 引脚数目 | 3 |
| 最大漏源电阻值 | 170 mΩ |
| 通道模式 | 增强 |
| 最大栅阈值电压 | 2V |
| 最大功率耗散 | 20000 mW |
| 晶体管配置 | 单 |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 晶体管材料 | Si |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 典型栅极电荷@Vgs | 15 nC @ 10 V |
| 宽度 | 5.5mm |
| 高度 | 2.3mm |
| 长度 | 6.5mm |
| 最高工作温度 | +150 °C |
含税单价￥7.7200
品 牌Toshiba
| 参数 | Toshiba MOSFET, P沟道, Si, Vds=60 V, 5 A, 3引脚 PW Mold封装 |
| 标准包装 | 每包:10个 |
| 数据表 | 2SJ668(TE16L,NQ) PDF资料 |
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￥6.7400/件
￥3289.0000/件
￥25.3800/件
￥281.5700/件
￥123.7500/件
￥5.2800/件
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | P |
| 最大连续漏极电流 | 5 A |
| 最大漏源电压 | 60 V |
| 封装类型 | PW Mold |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 引脚数目 | 3 |
| 最大漏源电阻值 | 170 mΩ |
| 通道模式 | 增强 |
| 最大栅阈值电压 | 2V |
| 最大功率耗散 | 20000 mW |
| 晶体管配置 | 单 |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 晶体管材料 | Si |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 典型栅极电荷@Vgs | 15 nC @ 10 V |
| 宽度 | 5.5mm |
| 高度 | 2.3mm |
| 长度 | 6.5mm |
| 最高工作温度 | +150 °C |
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