| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N |
| 最大连续漏极电流 | 300 mA |
| 最大漏源电压 | 60 V |
| 封装类型 | SOT-23 |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 引脚数目 | 3 |
| 最大漏源电阻值 | 4.8 Ω |
| 通道模式 | 增强 |
| 最小栅阈值电压 | 1V |
| 最大功率耗散 | 350 mW |
| 晶体管配置 | 单 |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 长度 | 2.92mm |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 高度 | 1.2mm |
| 晶体管材料 | Si |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 宽度 | 1.3mm |
含税单价￥2.1200
品 牌ON Semiconductor
| 参数 | ON Semiconductor MOSFET, N沟道, Si, Vds=60 V, 300 mA, 3引脚 SOT-23封装 |
| 标准包装 | 每包:100个 |
| 数据表 | 2N7002K PDF资料 |
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￥17.6215/件
￥4.7400/件
￥1.9200/件
￥163.7100/件
￥78.9230/件
￥1.7000/件
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N |
| 最大连续漏极电流 | 300 mA |
| 最大漏源电压 | 60 V |
| 封装类型 | SOT-23 |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 引脚数目 | 3 |
| 最大漏源电阻值 | 4.8 Ω |
| 通道模式 | 增强 |
| 最小栅阈值电压 | 1V |
| 最大功率耗散 | 350 mW |
| 晶体管配置 | 单 |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 长度 | 2.92mm |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 高度 | 1.2mm |
| 晶体管材料 | Si |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 宽度 | 1.3mm |
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