含税单价￥14.0725
品 牌ON Semiconductor
| 参数 | ON Semiconductor MOSFET, PowerTrench 系列, N沟道, 双, Si, Vds=100 V, 25 A, 12引脚 PQFN封装 |
| 标准包装 | 在毎卷：3000 |
| 数据表 | FDMD82100 PDF资料 |
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￥152.3990/件
￥12922.0000/件
￥9.3700/件
￥11167.0000/件
￥9.9100/件
￥0.9600/件
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N |
| 最大连续漏极电流 | 25 A |
| 最大漏源电压 | 100 V |
| 封装类型 | PQFN |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 引脚数目 | 12 |
| 最大漏源电阻值 | 35 mΩ |
| 通道模式 | 增强 |
| 最小栅阈值电压 | 2V |
| 最大功率耗散 | 2.1 W |
| 晶体管配置 | 串行 |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V |
| 每片芯片元件数目 | 2 |
| 高度 | 0.75mm |
| 宽度 | 3.4mm |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 晶体管材料 | Si |
| 长度 | 5.1mm |
| 典型栅极电荷@Vgs | 12 nC @ 10 V |
| 系列 | PowerTrench |
| 最低工作温度 | -55 °C |
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