含税单价￥9.3500
品 牌Infineon
| 参数 | 英飞凌 Infineon MOSFET, SIPMOS 系列, P沟道, Si, Vds=100 V, 1 A, 3 + Tab引脚 SOT-223封装 |
| 标准包装 | 每包:50个 |
| 数据表 | BSP322PH6327XTSA1 PDF资料 |
| 数量 | +- 库存：1150个 交期6-9工作日 |
| 递增 | 起订50 递增倍数50 |
￥11.5300/件
￥124.8300/件
￥3.7900/件
￥5.7400/件
￥2.3100/件
￥20.1700/件
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | P |
| 最大连续漏极电流 | 1 A |
| 最大漏源电压 | 100 V |
| 封装类型 | SOT-223 |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 引脚数目 | 3 + Tab |
| 最大漏源电阻值 | 800 mΩ |
| 通道模式 | 增强 |
| 最大栅阈值电压 | 1V |
| 最小栅阈值电压 | 2V |
| 最大功率耗散 | 1.8 W |
| 晶体管配置 | 单 |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 系列 | SIPMOS |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 高度 | 1.6mm |
| 晶体管材料 | Si |
| 典型栅极电荷@Vgs | 12.4 nC @ 10 V |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 宽度 | 3.5mm |
| 长度 | 6.5mm |
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