| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N |
| 最大连续漏极电流 | 150 A |
| 最大漏源电压 | 30 V |
| 封装类型 | TO-220AB |
| 安装类型 | 通孔 |
| 引脚数目 | 3 |
| 最大漏源电阻值 | 4 mΩ |
| 通道模式 | 增强 |
| 最大栅阈值电压 | 2.3V |
| 最小栅阈值电压 | 1.4V |
| 最大功率耗散 | 140 W |
| 晶体管配置 | 单 |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 最高工作温度 | +175 °C |
| 晶体管材料 | Si |
| 典型栅极电荷@Vgs | 32 nC @ 4.5 V |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 系列 | HEXFET |
| 高度 | 8.77mm |
含税单价￥18.7900
品 牌Infineon
| 参数 | 英飞凌 Infineon MOSFET, HEXFET 系列, N沟道, Si, Vds=30 V, 150 A, 3引脚 TO-220AB封装 |
| 数据表 | IRL7833PBF PDF资料 |
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| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N |
| 最大连续漏极电流 | 150 A |
| 最大漏源电压 | 30 V |
| 封装类型 | TO-220AB |
| 安装类型 | 通孔 |
| 引脚数目 | 3 |
| 最大漏源电阻值 | 4 mΩ |
| 通道模式 | 增强 |
| 最大栅阈值电压 | 2.3V |
| 最小栅阈值电压 | 1.4V |
| 最大功率耗散 | 140 W |
| 晶体管配置 | 单 |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 最高工作温度 | +175 °C |
| 晶体管材料 | Si |
| 典型栅极电荷@Vgs | 32 nC @ 4.5 V |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 系列 | HEXFET |
| 高度 | 8.77mm |
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